晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。
 一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。
     一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。
     晶振是為電路提供頻率基準(zhǔn)的元器件，通常分成有源晶振和無源晶振兩個大類，無源晶振需要芯片內(nèi)部有振蕩器，并且晶振的信號電壓根據(jù)起振電路而定，允許不同的電壓，但無源晶振通常信號質(zhì)量和精度較差，需要精確匹配外圍電路（電感、電容、電阻等），如需更換晶振時要同時更換外圍的電路。有源晶振不需要芯片的內(nèi)部振蕩器，可以提供高精度的頻率基準(zhǔn)，信號質(zhì)量也較無源晶振要好。

     因價格等因素，實際應(yīng)用中多采用無源晶振設(shè)計的電路居多，除非電路設(shè)計時序極其敏感或芯片內(nèi)部無振蕩器的情況（如一些型號的DSP或精密儀器中）。
 就是一個兩腳的無源晶振，11.0592MHZ振蕩頻率，匹配電容是兩個30P的瓷片電容。
每種芯片的手冊上都會提供外部晶振輸入的標(biāo)準(zhǔn)電路，會表明芯片的最高可使用頻率等參數(shù)，在設(shè)計電路時要掌握。與計算機用CPU不同，單片機現(xiàn)在所能接收的晶振頻率相對較低，但對于一般控制電路來說足夠了。
     另外說明一點，可能有些初學(xué)者會對晶振的頻率感到奇怪，12M、24M之類的晶振較好理解，選用如11.0592MHZ的晶振給人一種奇怪的感覺，這個問題解釋起來比較麻煩，如果初學(xué)者在練習(xí)串口編程的時候就會對此有所理解，這種晶振主要是可以方便和精確的設(shè)計串口或其它異步通訊時的波特率.
下面有兩組問答大家可以參考一下
問：我發(fā)現(xiàn)在使用晶振時會和它并一個電阻,一般1M以上,我把它去掉,板子仍可正常工作,請問這個電阻有什么用?可以不用嗎? 我有看到過不用的!不理解~
答： 這個電阻是反饋電阻，是為了保證反相器輸入端的工作點電壓在VDD/2，這樣在振蕩信號反饋在輸入端時，能保證反相器工作在適當(dāng)?shù)墓ぷ鲄^(qū)。雖然你去掉該電 阻時，振蕩電路仍工作了。但是如果從示波器看振蕩波形就會不一致了，而且可能會造成振蕩電路因工作點不合適而停振。所以千萬不要省略此電阻。 這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)是沒有增益的, 而沒有增益是無法振蕩的. 如果用芯片中的反相器來作振蕩, 必須外接這個電阻, 對于CMOS而言可以是1M以上, 對于TTL則比較復(fù)雜, 視不同類型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常常可以不加, 因為芯片內(nèi)部已經(jīng)制作了, 要仔細閱讀DATA SHEET的有關(guān)說明.和晶振并聯(lián)的電阻作為負載，一般1M歐。也有和晶振串聯(lián)的電阻為諧振電阻。

晶振的參數(shù)里有配用的諧振電容值。比如說32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF. 這個值和實際電路中晶振上接的兩個電容值是什么關(guān)系？像DST310S用的就是32.768K的晶振，它內(nèi)部的電容是6pF的
答： 你所說的是晶振的負載電容值。指的是晶振交流電路中，參與振蕩的，與晶振串聯(lián)或并聯(lián)的電容值。晶振電路的頻率主要由晶振決定，但既然負載電容參與振蕩，必 然會對頻率起微調(diào)作用的。負載電容越小，振蕩電路頻率就會越高4.096MHz的負載電容為20pF，說明晶振本身的諧振頻率<4.096MHz， 但如果讓20pF的電容參與振蕩，頻率就會升高為4.096MHz。或許有人會問為什么這么麻煩，不如將晶振直接做成4.096MHz而不用負載電容？不 是沒有這樣的晶振，但實際電路設(shè)計中有多種振蕩形式，為了振蕩反饋信號的相移等原因，也有為了頻率偏差便于調(diào)整等原因，大都電路中均有電容參與振蕩。為了 準(zhǔn)確掌握貼片晶振電路中該用多大的電容，只要把握晶體負載電容應(yīng)等于振蕩回路中的電容+雜散電容就可以了。你所說的IC中6pF的電容就可看作雜散電容